3세대 라이젠에 최적화된 메모리! G.SKILL DDR4 16G PC4-28800 CL16C TRIDENT Z 네오 (지스킬 트라이던트 Z 네오)

G.SKILL 트라이던트 Z 메모리라고 하면 고 클럭의 빠른 속도를 보장해주는 높은 사양의 메모리로 해외 오버클러커에게 큰 사랑을 받고 있습니다. 오버클러커들은 성능의 최대치 이상을 끌어올려 최상의 속도를 위해 끊임없이 도전하는 유저들이기에 G.SKILL 트라이던트 Z 시리즈의 빠른 속도와 잠재력은 하이엔드를 추구하는 그들의 이목을 집중시키고 있습니다.

G.SKILL은 2018년 기준 7번의 세계 오버클럭 대회를 개최하고 있고 DDR4 대역폭 최대 5543클럭이라는 놀라운 스피드를 끌어올린 오버클러커가 있을 만큼 메모리 분야의 강자라 볼 수 있습니다.

지스킬 오버클럭 대회인 2018 OC World Cup 그랜드 파이널 영상

삼성 DDR4 메모리

G.SKILL은 메모리 분야 세계 탑 급의 기술력을 보유하고 있는 국내 삼성과 하이닉스의 S~A급 속도를 보장해주는 부품을 공급받아 상품화하고 있습니다.

A급 이하 모듈로 DIY PC 유저들에게 친숙한 흔히 시금치 삼성램이라 불리는 메모리는 번들 부품으로 양산되고 있으며 최고 성능을 보장하는 수입용 물량이 아닌 일반 저가 보급형 메모리로 판매되고 있습니다. 삼성 메모리는 오버클럭 포텐셜이 높기 때문에 보급형 양산용 램일지라도 일정 수준 이상의 성능을 지녔기에 DIY 시스템을 구성 시 큰 인기를 얻고 있습니다.

한편 오버클럭을 염두에 둔다면 삼성 번들램은 다소 수율관련 뽑기운이 필요하고 오버클럭 퍼포먼스 제약이 제법 있는 편입니다. 삼성 번들램에서 원하는 오버 클럭 도달이 어려웠다라면 G.SKILL 메모리에서는 스펙상 정확한 속도를 보장해주며 스펙 이상 오버클럭 잠재력으로 경쟁력을 나타냅니다.

이를테면 3600 클럭이 삼성 양산용 번들 램에서 맥시멈이었다고 하면 삼성 B-Die를 적용한 G.SKILL 메모리는 3800~4000 혹은 그이상 클럭에서 안정적으로 사용 가능하기 때문입니다.

거기에 램 타이밍을 많이 풀어야 원하는 클럭에 도달하였다라면 G.SKILL 메모리는 램 타이밍을 많이 풀지 않고도 스펙 이상의 클럭으로 오버클럭할 수 있어 준수한 성능을 나타냅니다.

삼성전자 메모리를 예를 들었으나 하이닉스, 삼성, 마이크론의 A급 이상 수율을 공급받아 상품화하기 때문에 고클럭 XMP 및 커스텀 오버클럭에서 강한 모습을 보여 줍니다.

G.SKILL의 새로운 라인업인 'TRIDENT Z NEO' 메모리는 2019년 7월에 출시된 라이젠 3세대 시피유를 위해 제작되었습니다.

AMD 유저들의 고충이라고 하면 1세대, 2세대 통틀어 메모리 오버클럭이 쉽지 않은 부분일 겁니다. 라이젠은 인텔 플랫폼에 비해 오버클럭 마진율이 높지 않아 저조한 모습을 보여왔습니다.

그러나 라이젠 3000번대는 코어 다이와 IO 다이가 완전히 분리되면서 CPU의 메모리 컨트롤러가 향상되었습니다. 이 얘기는 이전 세대에 비해 오버클럭 관련 여유가 생겼다고 볼 수 있는 대목입니다.

라이젠 1~2세대에선 3400클럭 메모리 오버가 한계치였다고 하면 보다 성능을 끌어올려 3600 이상 오버클럭 할 수 있게 되었습니다. 이는 예를 든 수치이기 때문에 RAM 수율에 따라 상이 할 테지만 G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4 메모리는 기본적으로 3600클럭, CL16-19-19-39 1.35V를 지원해주기에 아등바등 3600MHz 클럭을 위해 발품 발거나 몇 차례 램을 사고팔면서 원하는 클럭에 도전하지 않으셔도 됩니다.

X470~ X570 보드에 최적화된 G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4 메모리는 XMP 적용으로 바이오스 상에서 버튼 몇 번만 클릭하면 스펙상 보장하는 클럭을 쓰실 수 있으니 오버클럭 초심자도 쉽게 고 클럭 퍼포먼스를 사용하실 수 있어 사용 편리성에서 메리트가 있습니다. 물론 수동 오버클러커에게도 환영스러울만한 준수한 팩토리 스펙을 지니기도 하여 오버클럭 기대치가 높습니다.

G.SKILL TRIDENT Z NEO 모델은 CL14 버전, CL16 버전이 있고 스펙에 따라 가격 차이가 납니다.

CL14 버전이 아무래도 좀 더 상위 스펙이겠으나 CL16 버전은 가격이 더 저렴하기에 가성비가 좋습니다.

G.SKILL 트라이던트 Z NEO DDR4 8기가 메모리 정품 여부는 방열판에 부착된 G.SKILL 홀로그램과 바코드로 체크해 보실 수 있습니다.

또한, 국내 수입 유통사인 서린씨앤아이 정품 홀로그램도 패키지 좌측 하단부에 부착되어 있습니다.

고장 시 G.SKILL 본사에 보내실 것이 아니라면 시간도 절약되고 편리한 국내 유통 A/S를 이용하시는 게 낫다고 생각됩니다.

RMA는 통상 3~4주는 예상하셔야 하기에 고장 부품 사후 처리 시간이 길어지는 문제가 생깁니다. 거기에 해외 배송료까지 발생합니다.

국내 유통은 배송료 부담이 적고 최대 1주일 정도면 처리 받을 수 있어 어찌보면 서비스 측면에선 꽤 유리합니다. 참고로 서린씨앤아이 A/S 보장 기간은 무상 LIFETIME WARRANTY가 적용되어 제품이 단종될 때까지 품질 보장을 받을 수 있습니다.

유통사 홀로그램이 있어야 서비스를 받을 수 있기에 잘 간직하시거나 사진처럼 방열판에 부착하시길 추천드립니다.

(지스킬 트라이던트 Z, 트라이던트 Z RGB, 트라이던트 Z NEO ) 출처 : 서린씨앤아이

통상 지스킬 트라이던트 Z 시리즈는 트라이던트 시그니처라 볼 수 있을 만큼 유사한 디자인을 지니고 있습니다.

트라이던트 각 시리즈는 방열판 재질과 약간의 디자인 변경되어 출시되고 있으며 트라이던트 Z 시리즈 상징이라 볼 수 있는 방열판 모양새는 큰 변화가 없어 트라이던트 메모리를 사용해본 유저라면 어떤 시리즈를 접하시더라도 이 메모리는 지스킬 트라이던트구나라고 인지할 수 있는 디자인으로 출시됩니다.

트라이던트(TRIDENT)의 사전적 의미인 '삼지창'을 형상화하여 램 방열판에 적용된 외형이 트라이던트 공통 사항이라 볼 수 있기 때문입니다. 마찬가지로 G.SKILL TRIDENT Z NEO 역시 트라이던트 Z 시그니처 디자인이 적용되어 있습니다.

G.SKILL TRIDENT Z NEO 16-19-19-39 DDR4 16GB 메모리

G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4 설정 및 성능 테스트

G.SKILL TRIDENT Z NEO 성능 테스트에서 사용된 CPU는 라이젠 5 3600입니다.

그리고 B450 칩셋의 msi GAMING PRO CABON AC 메인보드와 매칭하였습니다.

PCCOOLER GI-AH360P 3열 수랭 쿨러.

서린씨앤아이 팀그룹 M.2 SATA3 SSD.

G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4는 기본 설정인 레인보우 RGB로 설정이 되어 있는데 ASUS AURA SYNC, GIGABYTE RGB FUSION, msi MYSTIC LIGHT, ASROCK POLYCHROME SYNC 프로그램을 이용하여 각 브랜드 메인보드에서 ARGB를 제어할 수 있어 원하시는 조명효과를 적용해보실 수 있습니다.

msi MYSTIC LIGHT를 이용한 RGB LED 커스터마이징 화면입니다.

LED가 부담스럽다면 조명을 끄실 수도 있으며 다양한 컬러로 RGB LED를 세팅하실 수도 있습니다.

단순 속도가 빨라서 튜닝램을 구매하시는 유저도 있겠으나 속도뿐 아니라 시각적 효과도 좋은 편이기 때문에 LED 튜닝 시스템을 염두에 두는 유저라면 관심 가져볼만합니다.

시스템 정보

CPU : AMD RYAZEN 3600

보드, 메모리 : msi B450 게이밍 프로 카본 AC, G.SKILL TRIDENT Z NEO 8GB*2

VGA : msi AMD Radeon RX 580 8GB

SDD, HDD : ZOTAC Premium Edition SSD 240GB, Seagate Surveillance 3TB, 4TB

케이스, 파워 : lianli O11 Danamic Lazer EDITION, Micronics Classic 600w

CPU 쿨링 : PCCOOLER GI-AH360P HALO 3열 수랭 쿨러

라이젠 3600은 RYZEN MASTER를 통해 PBO 세팅만 해두었습니다.

리뷰를 작성하는 9월 9일 기준 터보 부스터 관련 바이오스 패치가 올라오기 전이라 라이젠 3600 풀 로드 터보 부스터 동작으로 40.7배수 4070MHz까지 클럭이 올라가는 상태입니다. (원 스펙대로라면 4100MHz)

램 설정에 앞서 서론에서 말씀드렸듯 3세대 라이젠은 코어 다이와 IO 다이가 완전히 분리된 설계 구조입니다. 그렇다 보니 이 둘을 유기적으로 연동시켜주는 인피니티 패브릭(Infinity Fablric)이 중요한 키포인트입니다.

AMD에서 제공한 상기 그래프를 살펴보시면 메모리 클럭(MCLK)과 인피니티 클럭(FCLK)의 비율이 1:1로 작동을 할 때가 최상의 속도를 보장해주고 있습니다. (메모리 레이턴시;Latency는 작은 수치일수록 빠름) 4400 클럭을 2:1 비율로 적용하였더라도 3800 클럭 1:1 수치에 비해 속도가 저조합니다. 그렇기 때문에 라이젠 3세대에서 가장 합리적인 속도는 3800MHz 1:1이라 보실 수 있습니다. (그 이상 2:1 클럭에선 레이턴시가 급격히 올라감)

시피유 구조적 특징에서 발생하는 이 같은 상황을 라이젠 유저라면 꼭 인지할 필요가 있습니다.

3세대 AMD 라이젠은 CPU 수율과 메모리 수율 그리고 쿨링 환경에 따라 DDR4 3533~3600 혹은 3800까지가 메모리 오버클럭 마지노선이라 볼 수 있습니다.

참고로 G.SKILL Trident Z NEO는 3600클럭을 보장하고 반도체 다이에 따른 수율 오차는 존재하겠으나 오버클럭을 통해 3800까지는 운용 가능하기 때문에 3세대 라이젠을 위해 최적화된 메모리라 볼 수 있습니다.

그러면 RAM 설정을 위해 메인보드 바이오스에 진입해보겠습니다.

G.SKILL TRIDENT Z NEO의 XMP 설정은 메인보드 XMP 항목을 Enaled로 설정하시게 되면 자동으로 트라이던트 Z NEO의 팩토리 세팅 값(3600MHz 16-19-19-39)을 불러오게 됩니다.

XMP 적용이 아닌 수동 세팅을 하실 분들을 위해 바이오스에서 설정 관련해서 몇 가지 언급 드릴 텐데 라이젠 3세대 CPU 다이 설계를 이해하고 램 세팅을 해주셔야만 최상의 속도로 시스템 운용이 가능해집니다.

수동 설정은 먼저 목표로 생각하는 DRAM Frequency를 설정하셔야 합니다. 보장 클럭인 3600 그리고 그 이상 3800선이 지스킬 트라이던트 Z 네오 램의 합리적인 오버클럭 수치라 볼 수 있습니다.

그리고 메모리/ 인피니티 패브릭/ 메모리 컨트롤러를 1:1:1 비율로 설정하여야 하는데, DRAM Frequency(MCLK) 3600으로 설정하셨다면 FCLK(인피니티 패브릭) Frequency 값을 그 절반값을 1800을 넣어줘야 비율 1이 됩니다. (MCLK는 양방향 전송이기에 두 배 수치로 표기함) 마찬가지로 DRAM Frequency 3800이라면 FCLK Frequency 1900을 넣어주셔야 합니다.

UCLK DIV1 MODE는 UCLK==MEMCLK으로 Memory Try It은 비활성화해주시면 됩니다.

그리고 CPU NB/SoC 전압 값을 DDR4-3600 클럭이라고 하면 1.05~1.06V DDR4-3800은 1.075V로 설정해주시고 메모리 전압은 과하게 주시기보다는 정스펙에서 0.5V 정도인 1.35~1.4V 선에서 안정화 값을 찾으시길 권합니다.

기본 3600 클럭 이상으로 오버클럭 해보고 싶다거나 혹은 수동으로 설정하길 원하신다라면 램 타이밍을 직접 입력해보시면서 안정화 값을 찾으실 수 있습니다.

램 타이밍은 tCL 값이 나머지 항목에 비해 속도가 높은 편이고 숫자가 작을수록 성능이 좋지만 다루기가 어렵습니다.

지스킬 트라이던트 Z 네오 기본 세팅 값 3600 cl16-19-19-36 타이밍을 기준 삼아 기본값 cl16에서 +,-1씩 세팅해보면서 테스트를 해보시기 바랍니다.

참고로 X 시리즈 보드에서는 1T 설정이 가능한데 B450 보드에서는 1T 세팅이 안되는 보드가 있습니다. 이경우 XMP 입력이 제대로 되지 않기 때문에 수동으로 'Gear Down Mode' 혹은 '2T'로 설정하셔야 합니다.

XMP 적용 및 메모리 오버클럭이 잘 되었는지 체크해보려면 CPU-Z, 타이푼 버너, 라이젠 마스터 등을 통해 확인하실 수 있습니다.

상단 캡처는 타이푼 버너를 통해 세세한 사양을 살펴본 결과입니다. 참고로 제가 접하게 된 지스킬 트라이던트 Z 네오 3600 CL16 메모리는 하이닉스 C-Die 모듈을 사용하고 있습니다.

XMP 적용이더라도 메모리가 오류 없이 제대로 작동하는지에 대해선 몇 가지 프로그램으로 테스트해보시길 권해드립니다.

TM5, MEMTEST, AIDA64 같은 메모리 테스트 툴을 이용하시면 되는데 본 글에선 TM5(TestMem 5)를 30분가량 가동하여 간단히 안정화 테스트하였습니다.

https://www.overclock.net/forum/27577522-post2594.html

TM5는 상단 링크에서 다운로드하실 수 있으며

실행하실 때는 V3 같은 백신 프로그램을 꺼두시고 관리자 권한으로 실행하셔야 정상작동합니다.

그리고 작업 관리자를 여시고 메모리 사용량이 90% 이상이 되는지 체크해봐야 정상 작동 여부를 체크하실 수 있습니다.

만약 램 오버클럭이 실패하였다고 하면 빨간색으로 오류가 카운트가 되니 이경우 바이오스에서 램 전압이나 램 타이밍을 조율하셔야 합니다.

안정화 테스트를 마쳤다면 본격적으로 메모리 속도 및 성능을 살펴보겠습니다

비교 대상은 대중적으로 많이 세팅하시는 삼성 DDR4-2666 CL19 램과 진행합니다.

그 이유는 대중성을 지닌 메모리와 고 클럭 메모리 둘 사이에서 성능 면에서 어떤 차이가 있을지에 대해 알아보기 위함입니다.

삼성 2666 CL19 램의 AIDA64 Cache & Memory Benchmark를 통해 기초적인 읽기 쓰기, 지연속도를 측정해보았습니다.

다음은 지스킬 트라이던트 Z 네오 3600 CL16의 AIDA 벤치마크 점수입니다.

L1, L2, L3 캐시 점수는 소폭이지만 메모리 읽기와 쓰기 속도, 복사 속도에선 큰 폭의 차이를 나타내고 있습니

다.

쓰기 속도 16216 MB/s 읽기 속도 7467MB/s, 복사 속도 9529MB/s, 레이턴시 18ns 가량 지스킬 메모리가 우위를 점합니다.

특히 읽기와 복사 속도는 삼성 램 대비 지스킬 램이 30% 이상 향상되었습니다.

위 그래프를 통해 성능 변화폭을 살펴보시기 바랍니다.

참고로 레이턴시(Latency)는 짧은 수치일수록 성능이 좋습니다.

3D MARK Fire Strike 삼성 2666 CL19.

3D MARK Fire Strike G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4.

그래픽 스코어는 동일한 그래픽 카드를 사용하여 변동이 없으며 피지컬 스코어에서 145 포인트 지스킬 메모리 쪽이 우위를 점합니다.

시네벤치 R20의 멀티 코어 스코어. (좌: 삼성, 우: 지스킬)

3D MARK 파스와 마찬가지로 지스킬 트라이던트 Z NEO 쪽이 향상되었습니다.

시네벤치 멀티 코어 점수는 CPU쪽 벤치마크이긴 하나 메모리 클럭 상승에 따른 점수 변화가 있었습니다. 41포인트 가량 지스킬 트라이던트 Z NEO CL16쪽이 우위를 보여줍니다.

이번엔 게임에서 성능 변화가 어떠한지 조사해봤습니다.

게임 모니터링은 애프터버너를 통해 프레임을 산출하였습니다.

데빌 메이 크라이의 삼성 DDR4 2666 CL19의 게임 플레이 프레임은 최소 프레임 30, 평균 프레임 149, 최대 프레임 404로 측정되었습니다.

이번엔 지스킬 트라이던트 3600 CL16입니다.

삼성 2666 CL19 메모리에 비해 최대 프레임이 546이 넘어섰으며 평균 프레임이 26가량 상승하였습니다. 고 클럭 메모리는 게임 플레이에서 보다 빠르고 부드러운 화면 그리고 평균 프레임을 안정적으로 유지해줬습니다.

프레임 차이는 상단 차트를 살펴봐주시기 바랍니다.

고성능 그래픽 카드에 따라 최대 프레임이 여유로워지겠으나 시스템의 램 클럭에 따라 평균 프레임을 얼마만큼 보완해주냐가 이 테스트의 주제입니다.

리그오브 레전드를 20분가량 플레이하면서 삼성 DDR4 2666 CL19 프레임 측정한 결괏값은 최소 90, 최대 218, 평균 158 프레임을 나타냈습니다.

그리고 지스킬 트라이던트 Z NEO DDR4 3600 CL16 프레임 측정 결과는 최소 10, 최대 241, 평균 222 프레임을 나타냈습니다.

지스킬 트라이던트 Z NEO 쪽이 최대 프레임, 평균 프레임이 큰 폭으로 상승하였습니다.

프레임 저하 없이 평균 프레임이 70가량 상승하였으며 삼성 DDR4 2666 CL19 메모리에 비해 프레임이 안정적으로 유지되었습니다.

요컨대 삼성 DDR4 2666 CL19 메모리에 비해 지스킬 3600 CL16이 읽기, 복사 성능이 20~30%가량 향상되었으며, CPU 성능이 크게 좌우되는 프로그램에서는 성능 변화가 미미하였으나 램 속도가 요구되는 게임이나 일부 프로그램 구동에서 빠른 속도를 보여줬습니다. 특히 게임의 경우 평균 프레임 저하를 방어해줘 안정적인 플레이를 가능케 했습니다. 저클럭 메모리에 비해 확연히 고클럭 메모리쪽이 시스템 운용에 있어 득을 나타내는 모습을 실험 결과에서 살펴보실 수 있습니다.

G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4 메모리는 어떤 유저들에게 쓰임새 있을까?

G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4 메모리는 RAM 오버클럭의 제약이 심한 라이젠 시스템을 위해 제작되었습니다. XMP를 통해 3600 CL16 스펙 그대로를 적용하여 고 클럭 메모리 속도를 적용시켜볼 수 있으며 스펙 이상 오버클럭 잠재력도 존재하는 메모리입니다. 트라이던트 Z 네오는 수율에 따라 편차는 존재하겠으나 3세대 라이젠 메모리 오버클럭 마지노선이라 볼 수 있는 3800MHz 오버클럭이 가능한 모습도 살펴볼 수 있었습니다.

지스킬 트라이던트 Z NEO의 3800Mhz CL16 오버클럭 적용 캡쳐

CPU 성능이 중점인 인코딩, 3D 렌더링 외 RAM 성능을 요구하는 환경에서 기본적인 읽기, 쓰기, 레이턴시가 확연히 높아지고 게임 로딩, 게임 프레임 유지에서 안정적인 운용력을 발휘하였습니다. 특히 평균 프레임을 높여주기에 게임상 부자연스러움이나 끊김 현상을 개선해주었습니다. 이 부분은 낮은 클럭에 비해 높은 클럭 메모리의 이점이 포착되는 부분입니다.

끝으로 지스킬 트라이던트 Z 네오는 라이젠 3세대를 위해 제작된 메모리로서 AMD 시스템에서 메모리 속도에 회의를 느끼시거나 높은 퍼포먼스를 선망하는 유저라면 관심 가져볼만 램이라 볼 수 있습니다. 라이젠과 호환성 및 퍼포먼스가 최적화되어 있으며, 정스펙인 3600클럭 혹은 그 이상의 오버클럭 잠재력이 있기 때문에 라이젠 3세대의 성능을 최대로 끌어올리길 원하신다면 유심히 살펴볼 만한 메모리가 아닐까라는 말씀드리며 마칩니다.

G.SKILL TRIDENT Z NEO DDR4 특징 요약.