로옴(ROHM)의 4세대 탄화규소(SiC) 기반 금속산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 베어 칩이 토요타의 신형 배터리 전기차(BEV) ‘bZ5’에 채택됐다. 이 차량은 토요타와 BYD 토요타 EV 테크놀로지, FAW 토요타 자동차가 공동 개발한 크로스오버형 BEV로, 2025년 6월 중국 시장에 출시됐다.
로옴의 SiC MOSFET은 차량의 트랙션 인버터에 내장되는 파워 모듈의 핵심 부품이다. 인버터는 배터리에서 전달된 직류 전력을 교류로 변환해 모터를 구동하는 장치로, 주행 거리 향상과 에너지 효율 개선에 직결된다. 이번에 채택된 파워 모듈은 로옴과 정하이 그룹의 합작사인 하이모식(HAIMOSIC, 상하이)에서 양산된다.
로옴은 현재 4세대 SiC MOSFET 양산에 집중하고 있으며, 차세대 기술 개발에도 박차를 가하고 있다. 2025년까지 5세대 생산라인을 구축하고, 6세대 및 7세대 개발도 병행하고 있다. 회사는 디바이스 성능 향상과 제조 효율성을 동시에 고려해 베어 칩, 단품, 모듈 등 다양한 형태의 제품을 공급하고 있으며, 이를 통해 SiC 기술의 대중화를 촉진하고 있다는 입장이다.
SiC 기반 반도체는 고전압·고온 환경에서도 뛰어난 전력 효율을 제공하기 때문에, 전기차를 비롯한 고성능 파워트레인 시스템의 핵심 소재로 주목받고 있다. 로옴은 이러한 SiC 기술을 바탕으로 전동화 차량의 효율을 높이고, 장기적으로는 지속 가능한 모빌리티 사회 구축에 기여하겠다는 방침이다.
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