삼성전자가 현지 시각 8월 5일 미국 산타클라라에서 진행된 FMS 2026에서 차세대 3D 메모리 zHBM과 zNAND-O 콘셉트 모델, 400단 이상 V10 BV-낸드를 공개했다.
지금까지 HBM은 AI 프로세서 옆에 나란히 배치됐는데, zHBM은 AI 가속기 바로 위에 수직으로 쌓는다. 데이터가 프로세서와 메모리 사이를 오가는 거리가 짧아지면서 대역폭과 전력 효율이 함께 개선된다. 대규모 AI 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 겨냥한 설계다.
삼성전자가 제시한 수치를 보면, 차세대 인터페이스에 zHBM을 적용할 경우 HBM5 대비 약 8배 성능이 예상된다. 차세대 웨이퍼 본딩 기술을 함께 쓰면 HBM5보다 메모리 밀도를 10배 이상 높이면서 에너지 효율을 3배로 끌어올리고 열저항은 절반 이하로 줄일 수 있다. 메모리와 가속기 사이 중간층에 고객사 맞춤 IP를 넣는 설계도 지원한다.
V10 BV-낸드는 웨이퍼 본딩 기술을 적용한 본딩 V-낸드 구조로, 업계에서 처음 공개됐다. 400단이 넘는 적층으로 저장 밀도를 이전 세대인 V9보다 약 58% 높였고 읽기·쓰기·입출력 성능도 개선했다. 2013년 플래시 메모리 서밋에서 업계 첫 V낸드를 공개한 지 13년 만이다. 함께 공개한 zNAND-O는 4단과 8단 버전으로 개발 중이며 실시간 처리가 필요한 엣지 AI 환경을 대상으로 한다.
이번 전시에는 HBM4E 샘플과 HBM5 모델, 메모리 안에서 연산을 처리하는 LPDDR5X-PIM, 기업용 저장장치 PM1763과 BM1773도 함께 전시됐다. 삼성전자는 2월 1c D램과 4나노 베이스 다이를 적용한 HBM4를 업계 처음으로 양산했고 5월에는 HBM4E 샘플을 출하했다. 부스에는 약 30종의 메모리·저장장치 기술이 놓였다.
개막 기조연설에는 이진엽 플래시제품·기술팀장(부사장)과 김경륜 D램설계팀 프로젝트 리더(상무)가 나섰다. 주제는 ‘AI 혁명의 파도를 이끌다: 메모리·저장장치 구조의 3D 혁신’이었다.
자세한 내용은 삼성전자 뉴스룸에서 확인할 수 있다.
이미지 출처: 삼성전자
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