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정보

SK하이닉스, 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발...

IP
2019.11.22 18:11:08
조회 수
300
추천 수
4
댓글 수
8

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gbit DDR4 D램을 개발 했다고 밝혔습니다.



이번 신제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현한 것이 특징. 2세대(1y) 제품 대비 


생산성이 약 27% 향상됐으며, 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지


안정적으로 지원합니다.


자세한 내용은 아래 원본 주소를 클릭하세요.

https://kbench.com/?q=node/203880

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