국내 연구진이 반도체 공정에 널리 쓰이는 소재를 활용해 원자 4개에 1비트의 정보를 저장 손톱
크기에 500TB를 저장하는 이론상 한계치의 고집적 반도체 구현 가능성을 제시했습니다.
이 교수팀은 이 연구에서 현재 반도체 트랜지스터의 게이트 전압 전극물질로 사용되는 산화하프늄에 전압을 걸면 원자들을 스프링처럼 강하게 묶던 상호작용이 완전히 사라지는 새로운 물리현상을 발견하였다는군요.
이를 메모리 반도체에 적용해 집적도를 1천배 향상할 수 있음을 입증했다고 합니다.
원자 간 상호작용이 특정 조건에서 완전히 사라지는 것은 평평한 에너지띠라는 물리학 이론으로
예측되는 현상인데 연구팀이 산화하프늄에 전압을 걸면 실제 이 현상이 일어난다는 것을 처음으로 발견한 것이라고 합니다.
정말 대단한 발견이네요.
앞으로 고집적 반도체를 만들 수 있는 길이 열렸네요.
자세한 내용은 아래 원문 링크를 참조하세요.
출처 : http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=001&oid=001&aid=0011721112
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