삼성전자가 내년부터 3nm 1세대 GAA(Gate All Around) 기반 제품을 양산할 것으로 알려져 있습니다. 관련 내용은 제가 아래 링크의 글에 소개해 드린바도 있습니다.

https://dpg.danawa.com/bbs/view?boardSeq=229&listSeq=4784753

그동안 파운드리 업계는 기존의 3차원 핀펫(3D FinFET) 공정 기반에서 반도체의 선폭을 줄이는 것으로 미세공정화 경쟁을 해 왔는데 이제 더 이상은 그 방법으로는 한계에 다가와 향후는 GAA 기술 확보가 중요한 전환 포인트가 될 것이란 것이 업계의 시각입니다.

삼성전자도 그런 측면에서 현재까지는 TSMC에 뒤쳐저 있지만 GAA로 전환하는 시점에서는 TSMC와 경쟁 우위를 확보하는 것에 대해 기대를 해보는거 같네요. 일단 현재까지의 로드맵 상으로는 내년 1세대 3nm GAA 공정에 이어 2023년에 3nm 2세대 공정도 GAA를 적용한다고 합니다.

핀펫 공정 기반에서의 미세 공정화 기술에 가장 앞서 있는건 누가 뭐라해도 TSMC입니다.

그런 TSMC이기에 3nm까지는 기존 공정 기반으로 개발해 내년 하반기 양산을 준비 중에 있습니다. 하지만 TSMC 역시 2023년 2nm 공정에서는 GAA를 적용한다고 하죠.

아직은 미세공정화에서 이들 두 업체에 비해 한참 뒤쳐져 있는 인텔도 2024년 2nm 공정에 자체적으로 개발한 GAA 기술인 리본펫(RibbonFET)을 적용하겠다고 밝히긴 했는데 과연 계획데로 진행될지는 앞에 두 업체보다 조금은 의심스러운 부분도 없지 않긴 합니다.

삼성전자가 로드맵데로 잘 GAA 공정으로의 전환과 양산화 및 우수한 수율을 제공해서 향후 첨단 미세공정화 분야에서 앞서나가서 파운드리 시장에서 지금의 TSMC와의 격차를 대폭 줄일 수 있는 계기가 되었으면 좋겠네요.