삼성전자가 내년 상반기 중으로 세계 최초로 3nm 공정 1세대 양산에 들어갈 계획이라고 합니다.

이미 알려진데로 삼성은 이 3nm 공정부터 GAA(Gate-All-Around) FET 공정을 적용해 기존의 FinFET 공정보다 공정을 개선해 승부수를 띄우고 있습니다.

TSMC는 2nm부터 GAA로 전환을 한다고 하죠.

이 전환점이 삼성전자에게는 중요한 턴오프 계기가 될 수 있을거 같은데 여기서 잘 성공하고 TSMC가 GAA 전환에 어려움을 겪는다면 삼성에게 좋은 기회가 될 수 있을텐데 말입니다.

하여간 GAA로 전환하는 3nm 공정이 빠르게 안착되고 수율도 엄청 빠르게 높은 수준으로 끌어 올릴 수 있기를 바랍니다.