반도체 스타트업 '네오 세미컨덕터'가 획기적인 3D DRAM 설계 기술인 '3D 메모리 스태킹'이라는 새로운 컨셉을 통해 기존 메모리 대비해 밀도를 최대 8배까지 향상할 수 있다고 밝혔습니다.

마치 낸드 플래시에서 3D 적층을 하는거 같은 개념을 DRAM에도 적용한 느낌이랄 수 있겠네요.

네오 세미컨측에서 '3D X-DRAM'이라 이름 붙히 이 콘셉트가 과연 메모리 업계에 있어 새로운 전환점이 될 수 있을런지 궁금해지네요.