삼성전자가 6월 11일부터 16일까지 일본 교토에서 열릴 예정인 반도체 학회 'VLSI 심포지엄'에서 3nm 2세대 공정과 4nm 4세대 공정 스펙을 처음으로 공개할 예정이라고 합니다.

삼성전자가 GAA 공정을 적용한 3nm의 두 번째 공정을 발표하는 자리가 되는 셈이네요.

삼성측에서는 이 공정이 4nm 핀펫 공정 대비해 성능은 22% 개선되고, 전력 효율도 34%가 개선되었다고 하는데 이런게 잘 어필이 되어 3nm 2세대 공정에 고객을 다수 유치할 수 있었으면 좋겠네요.

대만 TSMC는 2nm 공정부터 GAA를 도입할 예정이라고 하는데 GAA 공정 안정화와 양산 수율 개선 등을 미리 삼성이 잘해서 여기서 전환점을 마련할 수 있기를 바래 봅니다.