삼성전자가 최근 개최된 포럼에서 오는 2027년 1.4nm 공정에 '후면전력공급(BSPDN)' 기술을 적용할 계획임을 밝혔다고 합니다.

BSPDN은 반도체 구동 전력을 웨이퍼의 후면을 통해 공급하는 기술로 아직까지는 이를 구현한 곳이 없는 상황입니다.

점차 미세 공정화 되어 가는 반도체에 전력 공급선을 웨이퍼 후면으로 배치함으로써 전력 효율을 향상 시키고 칩의 성능을 향상 시킬 수 있을 것으로 기대되는 기술이라 여러 업체들이 도전하고 있는 분야인데 삼성전자가 경쟁사인 TSMC보다 먼저 상용화해서 시장 선점을 하였으면 좋겠네요.