마이크로범프는 일반적으로 40미크론 피치로 구현되었으며, 최신 메모리에서는 10미크론까지 축소되었다. 반면 하이브리드 본딩은 마이크로범프의 한계 지점에서 시작하여 지속적으로 스케일링된다. 현재 최첨단 기술은 6미크론이며, 4.5미크론 및 3미크론 세대가 개발 중이고 서브미크론 피치는 연구 단계에서 시연되었다. 각 단계가 축소될수록 스택된 다이 간의 수직 연결 수가 증가하여 캐시 다이 또는 컴퓨트 타일이 별도의 구성 요소가 아닌 칩의 일부처럼 작동하게 한다.

하이브리드 본딩 기술을 선도하는 기업 중 TSMC의 SoIC(System on Integrated Chips) 플랫폼은 생산량 측면에서 우위를 점한다. TSMC는 2026년 북미 기술 심포지엄에서 2023년 9미크론에서 2025년 6미크론, 2029년 4.5미크론으로 이어지는 피치 로드맵을 발표했다. 2세대 SoIC는 1세대에서 지원했던 면-대-후면(face-to-back) 스태킹 외에 면-대-면(face-to-face) 본딩을 추가한다. 노드 스태킹 로드맵은 현재 N3P-on-N4에서 2028년 N2P-on-N2P, 2029년 A14-on-A14로 진행된다.

그동안 HBM(고대역폭 메모리)이 하이브리드 본딩의 가장 큰 시장이 될 것이라는 예상이 지배적이었다. 그러나 지난 1월 JEDEC이 HBM 패키지 높이 제한을 720미크론에서 775미크론으로 상향 조정하면서 상황이 바뀌었다. 추가된 공간 덕분에 16단 HBM4 스택을 마이크로범프로도 조립할 수 있게 되었다. HBM4 패드 피치가 10미크론인 상황에서 SemiEngineering의 보도에 따르면, 해당 피치에서 하이브리드 본딩으로 전환하는 것은 아직 경제성이 부족하다.

장비 측면에서는 2020년부터 하이브리드 본딩 장비 분야에서 협력해 온 Applied Materials와 Besi가 지난해 말 Kinex 다이-투-웨이퍼 본딩 시스템을 출시했다. 이 시스템은 표면 처리, 본딩, 계측을 통합한 최초의 완전 통합형 다이-투-웨이퍼 하이브리드 본더로 평가된다. Applied Materials는 Besi에 지분 투자를 했으며, 지난 3월 보고서에 따르면 Besi는 Lam Research와 Applied Materials 양측으로부터 인수 관심을 받고 있다. 이는 로직 반도체에서 하이브리드 본딩 채택이 증가하고 메모리 반도체 채택이 뒤따르면서 본딩 장비 시장의 중요성이 커지고 있음을 시사한다.