TSMC는 수년간 0.55 NA(Numerical Aperture) 광학 장치를 사용하는 EUV 리소그래피, 즉 High-NA EUV 사용 계획에 대한 공개적인 언급을 피해왔다. 이는 TSMC 개발자들이 4억 달러에 달하는 스캐너 없이도 공정 기술을 발전시킬 방법을 잘 알고 있었기 때문이다. 그러나 TSMC는 Low-NA EUV 시스템에 영원히 의존할 수 없으므로, 이번 주 2030년부터 High-NA EUV를 사용하겠다는 계획을 발표했다.

TSMC는 어떤 제조 기술이 High-NA EUV를 처음으로 채택할지 공식적으로 밝히지 않았지만, 2030년이라는 시점은 몇 가지 후보를 제시한다. TSMC는 트랜지스터 아키텍처의 복잡성 증가에 따라 제조 기술이 더욱 복잡해지면서 High-NA EUV를 사용하여 처리되는 레이어 수가 결국 증가할 것으로 예상한다고 밝혔다. 이는 아마도 게이트-올-어라운드(GAA) 트랜지스터와 이후 상보형 전계 효과 트랜지스터(CFET)의 더욱 정교한 구현을 암시하는 것으로 보인다.

TSMC는 2030년에 기존 6×6인치 포토마스크를 사용하여 High-NA EUV 리소그래피 장비를 대량 생산에 도입할 계획이다. 이후 2031년에는 6×12인치 포토마스크를 사용하는 파일럿 라인을 구축하고, 2033년까지 6×12인치 High-NA 리소그래피 시스템을 첨단 노드 생산에 적용하는 것을 목표로 한다.

TSMC의 High-NA EUV 리소그래피 사용과 관련하여 가장 큰 관심사는 어떤 공정 기술이 새로운 시스템을 처음으로 사용할지 여부다. TSMC의 로드맵에 따르면, A10 또는 A11(1/1.1nm급)이 가장 중요한 레이어에 High-NA EUV 스캐너를 사용할 가장 유력한 후보로 보인다. TSMC의 최신 전략은 로드맵을 연간 고객 중심 노드(N2, N2P, N2X, A14, A13)와 대략 격년으로 출시되는 고성능 노드(2027년 A16, 2029년 A12)로 구분한다. TSMC는 2029년에 출시될 A12와 A13이 기존 EUV 리소그래피에 계속 의존할 것이라고 이미 확인했다.