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삼성전자, 3nm GAA 공정 시높시스와 테이프 아웃 성공

IP
2021.07.05. 01:28:40
조회 수
424
1

TSMC와 파운드리 시장에서 3nm 공정 개발에 치열한 경쟁을 펼치고 있는 삼성전자가 게이트 올 어라운드(GAA) 공정에 대한 세계 최초 양산화 작업을 추진 중인데, 이번에 흔히 EDA라고 하는 반도체 전자 설계 자동화 전문 업체인 시높시스와 협력해서 3nm GAA 공정 테이프 아웃에 성공했다고 하네요.


이는 곧 반도체 설계가 완성됐다는 의미라서 3nm GAA 신공정 개발에 있어 반도체 설계 단계는 완료하고 생산 단계로 넘어갈 수 있게 되었다는 말이 됩니다.


이제 앞으로 3nm GAA 공정 기반으로 시험생산과 대량생산 등의 과정을 거쳐 최종 양산 단계로 전이해 나갈테데 그렇게 진척해 나가기 위한 중요한 이정표를 마련한거 같네요.


TSMC가 얼마전 발표한바에 따르면 TSMC는 3nm 공정은 기존과 같은 핀펫 공정으로 내년 하반기부터 양산에 들어간다는 목표입니다. 그리고 GAA 공정은 2nm 공정부터 적용한다고 하죠.


이 3nm과 2nm 공정 개발이 양사간에 어떻게 되느냐에 따라 파운드리 업계에 중요한 변화가 있을 수 있을거라는 것이 업계의 관측이라 어찌될런지 무척이나 궁금해지네요.


삼성이 계획데로 3nm GAA 신공정 양산 체계와 수율 확보를 통해 앞서 나갈 수 있었으면 좋겠네요.

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