온세미(onsemi)가 차량 전동화와 차량 컴퓨터 시스템 아키텍처 혁신을 위한 시스템 수준의 반도체 솔루션을 대거 선보였다. 독일에 열린 세계 최대 전력 전자 전시회 PCIM 유럽 2026(PCIM Europe 2026) 무대에서 온세미는 고집적 전력 모듈과 고성능 전동화 플랫폼을 고공 공개하며 자동차 제조사들의 고전압 드라이브 트레인 전환 속도를 대폭 끌어올릴 기반 기술을 입증했다.


97% 최고 효율의 100kW DC 충전 및 SDV용 10BASE-T1S 아키텍처
온세미가 상용차 및 인프라 시장의 가혹한 요구 조건에 대응하기 위해 개발한 100kW DC 급속 충전 전력 모듈 레퍼런스 디자인은 전동화 인프라의 핵심 자산으로 꼽힌다. 본 설계 구조는 최대 100kW급의 정밀한 양방향 전력 제어 능력을 지원하여, 가동률이 낮은 차량 배터리 전력을 망에 되파는 V2G(Vehicle-to-Grid) 인프라의 효율성을 극대화한다. 480VAC 정격 입력 스펙으로 설계되어 전력 변환 과정의 전력 손실을 최소화했으며 97% 이상의 최고 변환 효율을 구현해 운영 유동성 비용을 획기적으로 낮췄다.

소프트웨어 정의 차량(SDV)의 실용화 추세에 발맞춰 차량 내 통신 배선의 무게와 조립 복잡성을 줄여줄 차세대 차량 네트워크 솔루션도 부각됐다. 온세미의 T30HM1TS2500 기반 10BASE-T1S MAC-PHY 칩셋은 단일 트위스트 페어 배선만으로 멀티드롭 연결을 제어하는 구조를 취해 섀시 와이어링 설계를 단순화한다. 물리 계층 충돌 방지(PLCA) 기술을 연동해 센서 데이터 충돌을 원천 차단하고 통신 처리량을 최고조로 유지하여 밀리초 단위의 안정적인 신호 흐름을 보장한다.

48V 파워 트레인 최적화와 EliteSiC M3e 하프브리지 B2S 모듈
저전압 트랙션 및 마일드 하이브리드(MHEV) 시장을 겨냥한 48V 시스템용 통합 자동차 전력 모듈(APM) 라인업도 촘촘하게 다듬어졌다. 이 셋업은 내부 기생 인덕턴스를 물리적으로 억제하고 전자기 간섭(EMI) 차단 성능을 높여 PCB(인쇄회로기판) 내부의 고전류 경로를 심플하게 조율하도록 돕는다. 션트 저항과 NTC 열 센서, 스너버 회로를 반도체 패키지 내부에 원칩 형태로 통합한 구성이다. 차폐 게이트 트렌치 공법을 입힌 T10 MOSFET 소자는 전도 손실(RDS(on))을 낮추고 노이즈 링잉을 지워내어 48V 전력 변환 장치의 완성도를 키웠다.

순수 배터리 전기차(BEV)의 핵심 심장부인 트랙션 인버터 부문에는 1200V EliteSiC M3e 기술 기반의 B2S 하프브리지 전력 모듈이 매칭됐다. 이 모듈은 인버터 용량에 따라 최소 160kW에서 최대 400kW급 출력까지 자유롭게 섀시 확장 설계를 할 수 있는 모듈러 특성을 지닌다. 차세대 M3e MOSFET은 신뢰성이 높은 고유의 플래너(Planar) 평면형 구조를 계승하면서도 셀 피치 간격을 이전 세대 대비 60% 이상 줄여 전력 밀도를 극대화했다. 가혹한 실전 가동 환경에서 낮은 불량률을 입증했으며 100% 결함 선별 시스템과 게이트 산화막 응력 검증 공정을 거쳐 탄화규소(SiC) 소자 특유의 열화 취약점을 완벽히 해결했다는 평가다.

반도체 원천 기술을 축으로 전동화와 자율주행, SDV 가치 사슬 전반을 재편하려는 온세미의 영리한 시스템 접근 방식은 미래 모빌리티 밸류체인의 기술적 표준을 주도할 것으로 전망된다.

글 / 원선웅 (글로벌오토뉴스 기자)​
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