온세미가 업계 표준 패키지인 T2PAK 톱쿨(top-cool) 구조를 적용한 엘리트 실리콘 카바이드(EliteSiC) MOSFET 신제품을 선보이며 전기차와 산업용 전력 애플리케이션 분야의 기술 경쟁력을 한 단계 끌어올렸다. 이번 신제품은 고전력·고전압 시장에서 요구되는 향상된 열 성능과 신뢰성, 설계 유연성을 제공하며 태양광 인프라, 전기차 충전기, 에너지 저장 시스템 등 다양한 분야에서 활용 가능성을 넓힌다.

온세미는 650V와 950V 등급의 EliteSiC MOSFET 포트폴리오에 T2PAK 패키지 기술을 적용해 업계 선도적인 SiC 기술과 혁신적 패키징 형식의 결합을 완성했다. 초기 제품은 이미 주요 고객사에 공급되고 있으며, 추가 라인업은 2025년 4분기부터 순차적으로 출시될 예정이다. 온세미는 EliteSiC 제품군 전체로 T2PAK 적용을 확대하며, 고전압 기반의 까다로운 자동차 및 산업용 설계 환경에서 효율성과 내구성을 동시에 확보할 수 있는 새로운 옵션을 제시한다는 전략이다.

전력 수요 증가로 열 관리 난도가 높아지는 상황에서, 기존 패키지는 열 효율과 스위칭 성능 중 하나를 선택해야 하는 구조적 한계를 지녔다. 하지만 온세미의 T2PAK 톱쿨 솔루션은 PCB에서 발생한 열을 시스템 냉각 인프라로 직접 전달하는 구조를 통해 성능 저하 없이 높은 효율을 달성한다. 이를 통해 우수한 열 효율과 낮은 작동 온도 확보, 부품 부담 감소를 통한 시스템 수명 연장, 높은 전력 밀도 기반의 콤팩트 설계, 간소화된 시스템 구조를 통한 제품 출시 기간 단축 등 다양한 효과를 제공한다.

온세미 SiC 부문 부사장 겸 총괄 어기 제키치(Auggie Djekic)는 자동차와 산업 시장에서 열 관리는 가장 중요한 과제 중 하나라고 강조했다. 그는 “설계자들은 타협 없이 효율성과 신뢰성을 제공하는 솔루션을 찾고 있다”며 “온세미의 EliteSiC 기술과 T2PAK 톱쿨 패키지는 우수한 열 성능과 설계 유연성을 제공해 경쟁이 치열한 시장에서 차별화된 차세대 제품 구현을 지원한다”고 말했다.

T2PAK 톱쿨 패키지는 MOSFET과 히트싱크를 직접 연결하는 구조로 설계돼 방열과 스위칭 성능의 이상적 균형을 구현한다. 이 구조는 접합부에서 히트싱크까지의 열 저항을 최소화하고, 12mΩ부터 60mΩ까지의 넓은 저항 범위를 지원해 설계 선택지를 대폭 넓힌다. 또한 PCB의 열적 한계를 받지 않고 직접 히트싱크로 열을 전달하는 방식으로 우수한 열 성능을 제공하며, 낮은 기생 인덕턴스를 유지해 빠른 스위칭 속도와 낮은 에너지 손실을 동시에 가능하게 한다. 아울러 기존 TO-247과 D2PAK 패키지의 장점을 결합하면서도 단점은 보완한 구조라는 점도 특징이다.

EliteSiC의 우수한 성능지표(FOM)에 톱쿨 T2PAK 패키징을 더한 이번 솔루션을 통해 설계자들은 더 작고, 더 시원하며, 더 높은 효율을 갖춘 차세대 고전력 시스템을 구현할 수 있을 것으로 전망된다.

이준문 기자/jun@newstap.co.kr

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