고성능 PC를 구성하는 데 있어 SSD의 중요성은 갈수록 커지고 있다. 게임과 각종 프로그램의 용량이 늘어나고, 고해상도 영상이나 대용량 데이터를 활용하는 작업이 보편화되면서 저장장치의 성능이 시스템 전체의 활용도를 좌우하는 중요한 요소로 자리 잡았다. 특히 빠른 데이터 전송 속도와 안정적인 성능을 동시에 제공하는 PCIe 4.0 기반의 NVMe SSD는 게이밍PC와 전문가용 시스템에서 폭넓게 활용되고 있다.

SSD를 선택할 때 단순히 최대 읽기 및 쓰기 속도만 살펴보는 것은 충분하지 않다. 실제 사용 환경에서는 작은 파일을 반복적으로 처리하거나 대용량 데이터를 연속해서 기록하는 경우가 많기 때문이다. 이러한 작업에서는 컨트롤러와 NAND 플래시 메모리의 성능은 물론 DRAM 캐시의 탑재 여부, SLC 캐싱 기술 등 다양한 요소가 영향을 미친다. 특히 별도의 DRAM을 갖춘 SSD는 데이터 주소 정보를 효율적으로 관리할 수 있어 다양한 작업 환경에서 유리한 특성을 기대할 수 있다.

ESSENCORE가 선보인 'KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'는 이러한 요구를 고려한 고성능 SSD다. PCIe 4.0 x4 인터페이스와 NVMe 1.4 프로토콜을 기반으로 1TB 모델 기준 최대 7,400MB/s의 읽기 속도와 6,400MB/s의 쓰기 속도를 지원한다. 여기에 DRAM 캐시와 3D TLC NAND, SLC 캐싱 기술을 조합해 높은 데이터 처리 성능과 쓰기 내구성을 함께 고려했다.

사용 환경에 따라 직접 장착할 수 있는 탈부착형 알루미늄 히트싱크를 제공한다는 점도 특징이다. 또한 1TB 모델 기준 750TBW의 쓰기 내구성과 5년 제한 보증을 제공한다.

고성능 SSD 시장을 겨냥한 'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'

'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'은 M.2 2280 규격을 기반으로 설계된 고성능 SSD다. 일반적인 M.2 SSD와 마찬가지로 가로 22mm, 세로 80mm의 작은 크기를 갖췄으며, 메인보드의 M.2 슬롯에 직접 장착하는 방식으로 별도의 데이터 케이블이나 전원 케이블이 필요하지 않다. 데스크톱 PC는 물론 규격과 장착 공간이 호환되는 다양한 시스템에서 활용할 수 있다.

제품의 외형은 블랙 PCB를 기반으로 깔끔하게 구성됐다. 작은 기판 위에 NAND 플래시 메모리와 컨트롤러, DRAM 캐시 등의 주요 부품이 집약된 형태로, 고성능 SSD에 필요한 구성 요소를 제한된 공간에 배치했다. 특히 별도의 DRAM 캐시를 탑재했다는 점에서 HMB 기술을 활용하는 DRAM-less SSD와 차이를 보인다.

SSD의 핵심 부품인 컨트롤러와 NAND 플래시 메모리는 기판 위에 배치돼 있다. 컨트롤러는 데이터의 읽기와 쓰기를 비롯해 NAND 플래시의 동작을 전반적으로 관리하는 역할을 하며, DRAM은 주소 매핑 정보 등을 임시로 저장해 데이터 접근 효율을 높이는 데 활용된다. 특히 CRAS C930은 DRAM 캐시를 별도로 탑재한 제품으로, 대용량 파일을 다루거나 반복적인 읽기·쓰기 작업을 수행하는 환경까지 고려했다.

제품의 외형에서 눈여겨볼 부분은 함께 제공되는 알루미늄 히트싱크다. SSD 본체와 별도로 구성된 히트싱크를 사용자가 필요에 따라 직접 장착할 수 있도록 설계했다. 메인보드에 기본 제공되는 M.2 방열판을 활용하거나 별도의 냉각 솔루션을 사용하는 환경에서는 히트싱크 없이 설치할 수 있어 시스템 구성에 따른 선택의 폭이 넓다.

히트싱크를 장착하지 않은 상태의 크기는 80×22×3.2mm이며, 무게는 약 7g이다. 일반적인 M.2 2280 규격에 해당하는 만큼 다양한 메인보드의 M.2 슬롯에 장착할 수 있다. 히트싱크를 결합하면 크기는 80×23.6×8.7mm, 무게는 약 23g으로 늘어난다. 따라서 메인보드의 그래픽카드 장착 위치나 주변 부품과의 간섭 여부를 고려해 장착 방식을 선택하는 것이 좋다.

KLEVV는 에센코어(ESSENCORE)가 전개하는 메모리 및 스토리지 브랜드로, 고성능 DDR 메모리와 SSD를 중심으로 제품군을 구성하고 있다. 특히 성능뿐만 아니라 디자인과 안정성을 함께 고려한 제품을 선보이며 게이밍 PC와 전문가용 시스템을 겨냥한 다양한 라인업을 구축했다.

그중 CRAS는 KLEVV의 고성능 제품군을 대표하는 이름이다. SSD뿐만 아니라 게이밍 메모리에도 사용되는 라인업으로, 높은 데이터 처리 성능과 안정성을 중시하는 사용자들을 주요 대상으로 한다. CRAS C930 역시 PCIe 4.0 인터페이스와 DRAM 캐시, 3D TLC NAND를 조합해 고성능 스토리지 시장을 겨냥한 모델이다.

용량은 1TB와 2TB 두 가지로 구성됐다. 리뷰에서 살펴보는 1TB 모델은 운영체제와 주요 프로그램, 게임 등을 설치하는 메인 스토리지로 활용하기에 적합하며, 2TB 모델은 대용량 게임이나 영상 편집 프로젝트 등 많은 저장 공간이 필요한 환경을 고려한 선택지다. 두 모델 모두 PCIe Gen4 x4 인터페이스를 지원하지만 최대 순차 쓰기 속도와 쓰기 내구성에는 차이가 있다.

또한 CRAS C930은 데스크톱 PC뿐만 아니라 플레이스테이션5의 스토리지 확장 용도로도 활용할 수 있도록 설계됐다. 다만 콘솔에 장착할 때는 히트싱크를 포함한 전체 크기가 허용 범위에 들어가는지 확인해야 하며, 실제 설치 환경에 따라 호환 여부가 달라질 수 있다.

탈부착형 알루미늄 히트싱크로 활용도 높여

'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'은 사용 환경에 따라 자유롭게 장착할 수 있는 알루미늄 히트싱크를 제공한다. 일반적으로 히트싱크가 일체형으로 부착된 SSD와 달리 사용자가 필요에 따라 직접 장착하는 DIY 방식을 채택했다. 메인보드의 구성이나 주변 부품과의 간섭 여부를 고려해 히트싱크 사용 여부를 선택할 수 있다는 점이 특징이다.

PCIe 4.0 기반의 고성능 NVMe SSD는 빠른 데이터 전송을 위해 컨트롤러와 NAND 플래시 메모리가 높은 속도로 작동한다. 이 과정에서 열이 발생하며, 특히 대용량 파일을 연속적으로 읽거나 쓰는 작업에서는 온도가 높아질 수 있다. SSD의 온도가 일정 수준을 넘어서면 내부 보호 기능에 의해 작동 속도가 조절될 수 있는 만큼 발열 관리는 중요한 요소로 꼽힌다.

CRAS C930에 제공되는 히트싱크는 열전도 특성이 우수하면서도 비교적 가벼운 알루미늄 소재로 제작됐다. SSD에서 발생한 열을 히트싱크로 전달하고, 넓어진 표면을 통해 주변 공기로 방출하는 방식이다. 특히 단순한 평판 형태가 아닌 플랫 핀(Flat Fin) 구조를 적용해 방열 면적을 확보했다.

플랫 핀은 히트싱크 표면에 얇고 평평한 방열 구조를 배치하는 방식으로, 제한된 공간에서도 공기와 접촉하는 면적을 넓히는 데 유리하다. 제조사에 따르면 해당 히트싱크는 비교 대상 및 측정 조건에 따라 최대 20%의 온도 감소 효과를 제공하도록 설계됐다. 다만 이는 제조사에서 제시한 수치이며, 실제 냉각 효과는 케이스 내부의 공기 흐름과 장착 위치 등에 따라 달라질 수 있다.

히트싱크는 블랙 색상을 바탕으로 깔끔하게 마감됐다. 상단에는 KLEVV 브랜드와 CRAS C930 제품명이 표시돼 있으며, 별도의 RGB LED나 장식적인 요소를 배제해 간결한 디자인을 완성했다. 게이밍 PC는 물론 차분한 디자인의 작업용 시스템에도 자연스럽게 어울리는 외형이다.

장착 방법도 비교적 간단하다. 우선 SSD를 제품 패키지의 블리스터에 올려놓고 주요 칩이 위쪽을 향하도록 위치를 맞춘다. 이후 히트싱크 뒷면의 보호 필름을 제거하고 SSD 위에 올려 부착하면 된다. 별도의 복잡한 조립 과정 없이 사용자가 직접 설치할 수 있도록 구성했다.

이때 히트싱크를 SSD 중앙에 정확하게 배치하는 것이 중요하다. 양쪽의 금색 연결 단자나 고정 나사 부분을 가리지 않도록 위치를 확인해야 하며, 부착한 뒤에는 표면을 고르게 눌러 밀착시키는 것이 좋다. 히트싱크와 주요 부품 사이의 접촉 상태는 열전달 효율에 영향을 줄 수 있기 때문이다.

히트싱크를 장착한 상태에서 제품의 크기는 80×23.6×8.7mm이며, 무게는 약 23g이다. 히트싱크를 사용하지 않을 때는 80×22×3.2mm, 무게 약 7g으로 일반적인 M.2 2280 SSD와 동일한 수준의 크기를 갖는다. 두 가지 구성을 선택할 수 있어 다양한 시스템 환경에 대응하기 용이하다.

특히 메인보드에 기본 제공되는 M.2 방열판이 있다면 이를 활용하는 것도 가능하다. 고급형 메인보드 상당수는 M.2 슬롯을 덮는 대형 방열판을 제공하는데, 이러한 경우 별도 히트싱크를 부착하면 두 방열판이 서로 간섭할 수 있다. 따라서 메인보드의 기본 방열판을 사용할지, CRAS C930에 제공되는 히트싱크를 사용할지 설치 전에 확인할 필요가 있다.

그래픽카드와 M.2 슬롯이 가까이 배치된 메인보드에서도 장착 공간을 살펴봐야 한다. SSD 위쪽에 그래픽카드나 다른 확장 카드가 위치하는 경우 히트싱크 높이에 따라 간섭이 발생할 수 있기 때문이다. CRAS C930은 히트싱크를 선택적으로 장착할 수 있어 이러한 공간 제약에 대응하기가 상대적으로 수월하다.

플레이스테이션5의 스토리지 확장 용도로 활용할 수 있다는 점도 눈여겨볼 부분이다. 소니가 요구하는 M.2 SSD의 성능 및 크기 조건을 고려한 제품으로, 히트싱크를 포함한 전체 높이 역시 PS5의 확장 슬롯 규격 범위에 들어간다. 다만 실제 장착 시에는 히트싱크가 정확하게 부착됐는지 확인하고, 콘솔의 설치 지침에 따라 조립하는 것이 좋다.

한편 히트싱크는 SSD에서 발생하는 열을 외부로 전달하는 역할을 하므로, 주변의 공기 흐름 역시 냉각 효율에 영향을 준다. 케이스 내부의 흡기 및 배기 구성이 적절하지 않거나 M.2 슬롯 주변에 열이 정체되는 환경에서는 히트싱크를 장착하더라도 기대한 만큼의 냉각 효과를 얻지 못할 수 있다. 고성능 SSD를 장시간 사용하는 시스템이라면 히트싱크뿐만 아니라 케이스 내부의 전반적인 냉각 환경도 함께 고려해야 한다.

DRAM 캐시와 TLC NAND로 속도와 내구성 모두 잡아

'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'은 PCIe 4.0 x4 인터페이스를 기반으로 최대 7,400MB/s의 순차 읽기 속도와 6,400MB/s의 순차 쓰기 속도를 지원한다. 이전 세대인 PCIe 3.0 x4 기반 SSD와 비교해 인터페이스 대역폭이 약 2배 넓어졌으며, 이를 통해 대용량 데이터의 빠른 전송과 높은 처리 성능을 구현할 수 있도록 설계됐다.

NVMe 1.4 프로토콜을 지원한다는 점도 특징이다. NVMe는 기존 SATA 기반 스토리지와 달리 PCIe 인터페이스에 최적화된 명령 처리 구조를 갖춰 데이터 접근 지연을 줄이고, 다수의 입출력 요청을 효율적으로 처리할 수 있다. 운영체제 부팅이나 프로그램 실행은 물론 고사양 게임의 로딩, 영상 및 이미지 편집 등 다양한 작업 환경에서 활용할 수 있다.

특히 CRAS C930의 가장 큰 특징으로 별도의 DRAM 캐시 메모리를 탑재했다는 점을 꼽을 수 있다. 일반적으로 SSD는 NAND 플래시 메모리에 데이터를 저장하지만, 데이터가 기록된 물리적 위치를 효율적으로 관리하기 위해 주소 매핑 정보를 활용한다. DRAM은 이러한 정보를 빠르게 읽고 쓸 수 있도록 돕는 고속 메모리로, SSD의 데이터 처리 효율과 응답성을 높이는 데 중요한 역할을 한다.

CRAS C930 1TB 모델에는 DDR4 기반의 1GB DRAM 캐시가 탑재됐다. 시스템 메모리의 일부를 활용하는 HMB(Host Memory Buffer) 방식과 달리 SSD 자체에 전용 메모리를 갖춘 구조다. 이를 통해 주소 매핑 정보를 관리하는 과정에서 호스트 메모리에 대한 의존도를 낮추고, 다양한 데이터 접근 패턴에 보다 효율적으로 대응할 수 있다.

DRAM 탑재의 장점은 단순히 최대 순차 읽기 및 쓰기 속도에서만 나타나는 것은 아니다. 작은 크기의 파일을 반복적으로 읽고 쓰거나 여러 프로그램이 동시에 스토리지에 접근하는 환경에서는 데이터의 위치를 빠르게 파악하고 처리하는 능력도 중요하다. DRAM 캐시는 이러한 작업에서 불필요한 NAND 접근을 줄이고, 입출력 요청을 효율적으로 관리하는 데 도움을 준다.

특히 운영체제와 게임, 각종 작업용 프로그램을 하나의 SSD에 설치하는 환경에서는 다양한 형태의 데이터 접근이 동시에 발생한다. 게임 업데이트와 파일 다운로드, 백그라운드 작업 등이 겹치는 상황에서도 DRAM 캐시는 주소 매핑 정보를 빠르게 처리하는 데 활용된다. 다만 실제 성능 차이는 작업 유형과 SSD의 컨트롤러, 펌웨어 구성 등에 따라 달라질 수 있다.

컨트롤러에는 InnoGrit의 IG5236이 사용됐다. 고성능 PCIe 4.0 NVMe SSD를 위해 설계된 컨트롤러로, NAND 플래시와 호스트 시스템 사이의 데이터 전송을 관리하는 역할을 담당한다. PCIe 4.0 x4 인터페이스와 NVMe 프로토콜을 기반으로 높은 순차 전송 속도와 랜덤 입출력 성능을 구현할 수 있도록 설계된 것이 특징이다.

SSD의 저장 매체로는 3D TLC NAND 플래시 메모리를 적용했다. TLC(Triple Level Cell)는 하나의 메모리 셀에 3비트의 데이터를 저장하는 방식으로, 저장 용량과 제조 비용, 쓰기 내구성 사이의 균형을 고려한 기술이다. 고성능 소비자용 SSD에서 폭넓게 활용되며, 게이밍 PC부터 콘텐츠 제작용 시스템까지 다양한 용도로 사용된다.

3D NAND는 메모리 셀을 수직으로 적층해 저장 밀도를 높이는 구조다. 평면 형태의 NAND와 비교해 제한된 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있으며, 셀 구조와 제조 공정의 발전을 통해 대용량 SSD의 구현에도 유리하다. CRAS C930은 이러한 3D TLC NAND와 DRAM 캐시를 조합해 성능과 저장 효율을 함께 고려했다.

SSD의 쓰기 성능을 높이기 위한 SLC 캐싱 기술도 적용됐다. SLC 캐싱은 TLC NAND의 일부 영역을 셀당 1비트를 저장하는 SLC 방식으로 활용해 데이터를 우선적으로 빠르게 기록하는 기술이다. 이후 내부 관리 과정을 통해 데이터를 TLC 영역으로 옮기는 방식으로 작동하며, 일반적인 파일 복사나 프로그램 설치 과정에서 높은 초기 쓰기 속도를 제공하는 데 도움을 준다.

다만 SLC 캐싱을 활용하는 SSD는 캐시 영역의 사용량에 따라 쓰기 속도가 달라질 수 있다. 대용량 파일을 연속적으로 기록해 캐시 영역이 소진되거나 여유 공간이 줄어들면, NAND의 실제 쓰기 성능과 컨트롤러의 처리 능력에 따라 속도가 낮아질 수 있다. 따라서 최대 순차 쓰기 속도뿐만 아니라 장시간 연속 쓰기 작업에서 어느 정도의 성능을 유지하는지도 중요한 평가 요소다.

여기서 DRAM 캐시와 SLC 캐싱은 서로 다른 역할을 수행한다. DRAM 캐시는 주로 데이터의 주소 매핑 정보를 빠르게 관리하는 데 활용되는 반면, SLC 캐싱은 NAND의 일부 영역을 고속 쓰기 공간으로 사용하는 기술이다. CRAS C930은 두 가지 기술을 함께 적용해 데이터 관리 효율과 쓰기 성능을 높이는 방향으로 설계됐다.

랜덤 읽기 및 쓰기 성능도 눈여겨볼 부분이다. SSD는 대용량 파일을 순차적으로 전송하는 작업뿐만 아니라 작은 파일을 불규칙하게 읽고 쓰는 작업도 빈번하게 수행한다. 특히 운영체제 구동과 게임 로딩, 프로그램 실행 등에서는 랜덤 입출력 성능이 실제 사용 경험에 영향을 미친다. CRAS C930은 최대 100만 IOPS 수준의 랜덤 입출력 성능을 지원하도록 설계됐다.

내구성 측면에서도 고성능 SSD에 걸맞은 사양을 갖췄다. 1TB 모델의 쓰기 내구성은 750TBW(Terabytes Written)로, 제품의 보증 기준에 따라 누적 기록할 수 있는 데이터 용량을 나타낸다. 이를 하루 평균 쓰기 용량으로 환산하면 5년 동안 약 411GB의 데이터를 매일 기록하는 수준에 해당한다.

다양한 기술로 데이터 안정성과 신뢰성 높여

'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'은 빠른 데이터 전송 속도뿐만 아니라 장기간 사용 시 발생할 수 있는 성능 저하와 데이터 오류에 대응하기 위한 다양한 관리 기술을 갖췄다. SSD는 운영체제와 프로그램을 실행하는 과정에서 수많은 읽기 및 쓰기 작업을 반복하는 만큼, 데이터의 정확성을 유지하고 NAND 플래시 메모리를 효율적으로 관리하는 능력이 중요하다.

대표적인 기능으로 TRIM을 꼽을 수 있다. TRIM은 운영체제에서 삭제한 파일이 더 이상 필요하지 않다는 사실을 SSD에 전달하는 기능으로, 컨트롤러가 사용하지 않는 데이터 영역을 효율적으로 관리할 수 있도록 돕는다. 이를 통해 불필요한 데이터 이동을 줄이고, 장기간 사용하면서 발생할 수 있는 쓰기 성능 저하를 완화하는 데 도움을 준다.

특히 SSD는 기존 하드디스크와 달리 데이터를 덮어쓰기 전에 해당 영역을 정리하는 과정이 필요하다. TRIM은 이러한 특성을 고려해 삭제된 데이터의 위치를 컨트롤러에 알려주며, SSD 내부의 가비지 컬렉션(Garbage Collection) 작업과 연계해 저장 공간을 효율적으로 관리할 수 있도록 한다.

S.M.A.R.T.(Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) 기능도 지원한다. SSD의 상태를 모니터링하고 사용자가 저장장치의 이상 여부를 확인할 수 있도록 돕는 기술이다. 누적 데이터 기록량이나 사용 시간, 온도 및 오류 관련 정보 등 드라이브에서 제공하는 다양한 상태 정보를 확인할 수 있어 장기간 사용 시 유용하다.

S.M.A.R.T. 정보를 활용하면 SSD의 사용 상태를 정기적으로 점검하고, 이상 징후가 발견됐을 때 중요한 데이터를 미리 백업하는 등의 대응이 가능하다. 다만 모든 고장을 사전에 예측할 수 있는 것은 아니므로, 중요한 자료는 별도의 저장장치나 클라우드에 정기적으로 백업하는 것이 좋다.

데이터 오류를 감지하고 수정하기 위한 LDPC(Low-Density Parity-Check) ECC 기술도 적용됐다. NAND 플래시 메모리는 데이터를 반복적으로 기록하고 삭제하는 과정에서 셀의 상태가 변화할 수 있으며, 이로 인해 읽기 오류가 발생할 가능성이 있다. LDPC ECC는 오류 정정 알고리즘을 활용해 데이터의 정확성을 높이는 역할을 한다.

특히 고밀도 NAND 플래시 메모리는 하나의 셀에 여러 비트의 정보를 저장하므로, 각 데이터 상태를 정밀하게 구분하는 능력이 중요하다. LDPC ECC는 이러한 특성을 고려해 데이터 읽기 과정에서 발생할 수 있는 오류를 정정하고, 저장된 정보를 안정적으로 복원하는 데 도움을 준다.

Bad Block Management 기능도 데이터 안정성을 높이는 요소다. NAND 플래시 메모리에는 제조 과정이나 장기간 사용에 따라 정상적으로 활용하기 어려운 블록이 존재할 수 있다. SSD 컨트롤러는 이러한 블록을 관리하고, 문제가 발생한 영역을 사용 대상에서 제외하는 방식으로 데이터 저장의 신뢰성을 유지한다.

사용 중 새로운 불량 블록이 발견되는 경우에도 정상적인 예비 블록을 활용해 저장 공간을 관리할 수 있다. 이러한 과정은 SSD 내부에서 자동으로 이뤄지므로 사용자가 직접 불량 블록을 찾아 조치할 필요가 없다. 다만 관리 가능한 예비 영역에는 한계가 있으므로, 저장장치의 상태를 지속적으로 확인하는 것이 바람직하다.

NAND 플래시 메모리의 수명을 효율적으로 관리하기 위한 웨어 레벨링(Wear Leveling) 기술도 중요하다. NAND는 데이터를 기록하고 삭제할 수 있는 횟수에 한계가 있기 때문에 특정 영역에 쓰기 작업이 집중되면 해당 블록이 다른 영역보다 빠르게 마모될 수 있다. 웨어 레벨링은 데이터 기록을 여러 블록에 분산해 이러한 현상을 줄이는 역할을 한다.

CRAS C930은 글로벌 웨어 레벨링(Global Wear Leveling) 기술을 통해 NAND 전체의 사용 상태를 고려한 데이터 관리가 가능하도록 설계됐다. 자주 변경되는 데이터뿐만 아니라 상대적으로 오랫동안 유지되는 데이터의 배치까지 관리해 특정 영역에 쓰기 작업이 집중되는 현상을 완화한다. 이를 통해 NAND 플래시의 쓰기 내구성을 효율적으로 활용할 수 있다.

발열에 대응하기 위한 열 조절(Thermal Throttling) 기능도 적용됐다. PCIe 4.0 기반의 고성능 SSD는 높은 전송 속도로 데이터를 처리하는 과정에서 컨트롤러를 중심으로 열이 발생한다. 온도가 설정된 범위를 넘어설 경우 컨트롤러가 작동 성능을 조절해 과열로 인한 문제를 방지하는 방식이다.

다만 열 조절 기능은 높은 온도에서도 최대 성능을 계속 유지한다는 의미는 아니다. 온도 조건에 따라 데이터 전송 속도가 낮아질 수 있으며, 실제 작동 특성은 시스템 내부의 냉각 환경과 작업 부하에 영향을 받는다. 따라서 고성능 SSD를 장시간 사용하는 경우에는 메인보드의 M.2 방열판이나 제품에 제공되는 히트싱크를 활용하고, 케이스 내부의 공기 흐름도 함께 고려할 필요가 있다.

이밖에 SSD의 내부 데이터 관리 과정에서 발생할 수 있는 오류를 줄이기 위한 다양한 컨트롤러 기반 보호 기술도 활용된다. 데이터의 기록과 이동, 오류 정정, 불량 블록 관리 등의 작업은 사용자가 별도로 조작하지 않아도 SSD 내부에서 자동으로 수행된다. 이러한 기능들은 높은 전송 속도를 구현하는 것과 별개로 저장장치의 안정적인 작동을 뒷받침하는 요소다.

벤치마크로 확인한 PCIe 4.0 SSD의 뛰어난 성능

'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'의 실제 성능을 확인하기 위해 다양한 벤치마크 테스트를 진행했다. 테스트에는 SSD의 순차 및 랜덤 읽기·쓰기 성능을 측정하는 크리스탈 디스크 마크(CrystalDiskMark), 파일 크기에 따른 전송 속도 변화를 확인할 수 있는 ATTO 디스크 벤치마크, 저장 공간 전체에 데이터를 기록하며 지속적인 쓰기 성능을 측정하는 나래온 더티 테스트를 활용했다.

참고로 SSD는 반도체의 특성상 시간이 지날수록 성능이나 안정성에 차이가 발생할 수 있어 이 같은 벤치마크 테스트가 절대적인 수치가 될 수는 없다는 점을 유의해야 할 것이다. 또한 모든 테스트는 포맷 직후인 클린 상태에서 진행됐기 때문에 운영체제가 설치된 상황에서는 이와 약간의 차이를 보일 수 있다.

<테스트 사양> - CPU : AMD 라이젠9 9850X3D - 메인보드 : AMD X870E - 메모리 : DDR5-6000 16GB x2 - 파워서플라이 : 정격 1000W - 운영체제 : 윈도우11 Pro

먼저 SSD의 성능 측정에 가장 널리 사용되는 크리스탈 디스크 마크 8.0.1을 실행했다. CRAS C930 1TB 모델의 공식 순차 읽기 속도는 최대 7,400MB/s, 순차 쓰기 속도는 최대 6,400MB/s다.

측정 결과 순차 읽기 속도는 7,103.22MB/s, 순차 쓰기 속도는 6,757.16MB/s를 기록했다. 읽기 속도는 제조사 표기 수치의 약 96% 수준으로 측정됐으며, 쓰기 속도는 공식 사양을 약 5.6% 웃도는 결과를 보여줬다. 특히 6,700MB/s를 넘어서는 순차 쓰기 성능을 기록했다는 점에서 대용량 데이터 전송을 위한 높은 처리 능력을 확인할 수 있었다.

랜덤 읽기 및 쓰기 성능도 확인했다. RND4K Q32T1에서는 읽기 679.94MB/s, 쓰기 402.45MB/s를 기록했으며, RND4K Q1T1에서는 읽기 66.19MB/s, 쓰기 292.87MB/s로 측정됐다. 랜덤 성능은 운영체제와 프로그램 실행 과정에서 발생하는 작은 데이터의 처리 능력을 살펴볼 수 있는 지표다. 

다음으로 ATTO 디스크 벤치마크 4.00을 활용해 데이터 크기에 따른 읽기 및 쓰기 성능을 측정했다. ATTO는 작은 크기의 데이터부터 상대적으로 큰 데이터까지 전송 단위를 변경하면서 속도를 확인하는 프로그램으로, SSD가 다양한 크기의 파일을 처리할 때 나타나는 성능 특성을 살펴보는 데 유용하다.

테스트 결과 512B 구간에서는 쓰기 4.69MB/s, 읽기 69MB/s를 기록했으며, 데이터 크기가 커질수록 전송 속도가 빠르게 증가하는 모습을 보였다. 32KB 구간에서는 쓰기 2.69GB/s, 읽기 3.31GB/s를 기록했고, 64KB 구간에서는 쓰기 4.89GB/s, 읽기 4.87GB/s로 높아졌다.

반면 4MB 이상의 구간에서는 전송 속도가 점차 낮아지는 양상이 나타났다. 4MB 구간에서 쓰기 4.88GB/s, 읽기 3.47GB/s를 기록한 이후 64MB 구간에서는 쓰기 2.37GB/s, 읽기 2.05GB/s로 측정됐다. 이처럼 전송 단위에 따라 속도 차이가 발생했으며, 특히 128KB~1MB 구간에서 높은 쓰기 성능을 기록한 점이 눈에 띈다.

마지막으로 나래온 더티 테스트를 통해 SSD의 지속적인 쓰기 성능을 확인했다. 앞서 진행한 크리스탈 디스크 마크와 ATTO 테스트가 상대적으로 짧은 구간에서의 데이터 전송 성능을 측정한다면, 나래온 더티 테스트는 저장 공간 전체에 데이터를 연속적으로 기록해 장시간 쓰기 작업에서 나타나는 성능 변화를 살펴볼 수 있다는 차이가 있다.

이번 테스트는 약 931GiB의 사용 가능한 저장 공간을 대상으로 진행했으며, 전체 테스트를 완료하는 데 54분 27초가 소요됐다. 최대 속도는 6,035MiB/s, 최소 속도는 6MiB/s로 측정됐으며, 전체 평균 속도는 2,585MiB/s를 기록했다. 또한 평균 속도의 50% 미만으로 떨어진 구간은 전체의 36.3%로 나타났다.

테스트 초반에는 약 6,000MiB/s 수준의 높은 쓰기 속도를 보여줬다. 일부 구간에서 순간적인 속도 변동이 발생했지만, 남은 용량이 약 68%에 도달하기 전까지는 전반적으로 높은 전송 속도를 유지했다. 이는 SLC 캐싱 기술이 초기 연속 쓰기 성능을 높이는 데 기여한 결과로 해석할 수 있다.

그럼에도 전체 평균 쓰기 속도가 2,585MiB/s를 기록했다는 점은 주목할 만하다. 초기 최대 속도와 비교하면 차이가 있지만, 저장 공간 전체에 데이터를 기록하는 장시간 테스트에서도 상당한 양의 데이터를 처리했다. 다만 최소 속도가 6MiB/s까지 하락하고 평균 속도의 50% 미만인 구간이 36.3%에 달했다는 점에서, 지속적인 쓰기 작업에서는 속도 변동이 적지 않았음을 확인할 수 있다.

DRAM 캐시로 성능과 안정성을 높인 고성능 SSD 'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'

'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'은 PCIe 4.0 x4 인터페이스를 기반으로 높은 전송 속도와 다양한 편의 기능을 갖춘 고성능 SSD다. 특히 별도의 DDR4 DRAM 캐시와 3D TLC NAND를 탑재해 데이터 처리 효율과 내구성을 함께 고려했으며, SLC 캐싱 기술을 통해 빠른 쓰기 성능을 구현했다. 여기에 사용 환경에 따라 직접 장착할 수 있는 알루미늄 히트싱크를 제공해 시스템 구성의 유연성을 높인 점도 특징이다.

장기간 사용을 고려한 안정성 관련 기능도 충실하다. TRIM과 S.M.A.R.T., LDPC ECC, Bad Block Management, 글로벌 웨어 레벨링 등 다양한 기술을 통해 데이터 관리 효율과 NAND 플래시의 내구성을 높였다. 또한 1TB 모델 기준 750TBW의 쓰기 내구성과 5년 제한 보증을 제공해 게이밍PC는 물론 대용량 데이터를 자주 다루는 작업용 시스템에서도 활용할 수 있다.

국내 유통과 사후 서비스 측면에서도 눈여겨볼 만하다. CRAS C930은 국내 PC 부품 시장에서 오랜 경험을 쌓아온 파인인포가 공식 유통하는 제품으로, 국내 정식 유통 제품에 대한 고객 지원을 받을 수 있다. 특히 SSD는 운영체제와 각종 프로그램은 물론 중요한 개인 자료까지 저장하는 부품인 만큼, 제품 자체의 성능 못지않게 유통사의 사후 지원 체계와 보증 정책도 구매 시 고려해야 할 요소다.

파인인포는 고객 지원 체계를 강화하고 소비자와의 접점을 확대하기 위한 다양한 활동을 추진하고 있다. 제품 구매 이후 발생할 수 있는 문제에 대응하기 위한 서비스 기반을 마련하고, 고객과의 소통을 확대해 브랜드 신뢰도를 높인다는 계획이다. CRAS C930 역시 5년 제한 보증을 제공하는 만큼, 구매 시 국내 정식 유통 여부와 보증 조건을 함께 확인한다면 더욱 안심하고 사용할 수 있을 것으로 보인다.

'ESSENCORE KLEVV CRAS C930 M.2 NVMe'은 높은 순차 전송 속도와 DRAM 캐시를 중시하는 사용자에게 충분히 매력적인 선택지가 될 만하다. 특히 운영체제와 게임, 다양한 작업용 프로그램을 하나의 SSD에서 활용하려는 사용자라면 PCIe 4.0의 높은 대역폭과 DRAM 기반 데이터 관리 구조의 장점을 기대할 수 있다. 최대 속도뿐만 아니라 내구성과 편의 기능, 국내 서비스까지 종합적으로 고려해 고성능 SSD를 찾는 사용자에게 추천할 만한 제품이다.

홍진욱 기자/honga@mediapic.co.kr

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