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AMD, 칩 뒷면 물리 공격 막는 ‘버설 변조 방지’ 반도체 공개

2026.11.13. 18:05:47
조회 수
18

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AMD가 반도체 후면에 가해지는 물리적 공격을 막는 보호 기능을 내장한 ‘버설 변조 방지(Versal Tamper-Resistant, TR)’ 디바이스를 발표했다고 13일 공식 블로그를 통해 밝혔다. AMD는 버설 TR이 반도체 후면 물리 공격 방어 기능을 내장한 업계 최초의 적응형 SoC 또는 FPGA 기반 디바이스라고 설명했다. FPGA(Field Programmable Gate Array)는 제조된 뒤에도 이용자가 프로그래밍으로 내부 회로 구성을 바꿀 수 있는 반도체로, 용도에 맞춰 회로를 다시 구성할 수 있어 통신 장비와 방위 시스템 등에 쓰인다. 적응형 SoC는 이런 프로그래머블 로직과 프로세서를 한 칩에 통합한 반도체다.

2세대 AMD 버설 AI 엣지 시리즈 반도체 (이미지 출처: AMD)
2세대 AMD 버설 AI 엣지 시리즈 반도체 (이미지 출처: AMD)

버설 TR은 3D 액티브 온 액티브(Active-on-Active) 기술로 센서를 갖춘 보호용 다이를 연산용 메인 다이에 접합해 디바이스 후면 전체를 보호한다. 다이는 웨이퍼에서 잘라 낸 반도체 칩 조각이다. 보호 다이는 물리적 공격을 감지하며, 보호 다이가 변조되거나 제거되면 디바이스가 부팅되지 않는다.

데이터센터 네트워킹과 핀테크, 방위 시스템, 핵심 산업 인프라처럼 높은 수준의 보안이 필요한 분야의 기업들은 그동안 기계식 외장 케이스와 주문형 반도체(ASIC) 등을 조합해 자체 보안 솔루션을 개발해 왔다. AMD는 이 과정에서 개발 비용과 전문 인력, 검증 부담이 커지고 기판을 다시 설계해야 하는 위험도 생긴다고 설명했다. AMD에 따르면, 버설 TR은 연산 기능과 보안 기능을 한 디바이스에 통합해 별도 부품 수와 회로기판 면적을 줄일 수 있다.

버설 TR의 양자내성암호(PQC) 하드웨어 가속 기능은 양자 컴퓨터 공격에 대비한 서명 알고리즘 ML-DSA와 SLH-DSA를 새로 지원하며, 여러 서명 알고리즘을 함께 쓰는 하이브리드 부팅 절차도 지원한다. 애플리케이션 보안 유닛(ASU)의 키 보관 기능을 개선하고 메모리 소자 노화 센서(MEAS)를 새로 탑재해 암호화 키 보호도 강화했다. 전압을 순간적으로 흔들어 오작동을 유도하는 글리치 공격에 대비해 기존 감지기를 개선하고 직교형 글리치 감지기를 추가해, 두 전압 레일에서 동시에 발생하는 이상 신호까지 감지한다.

버설 TR은 2세대 버설 AI 엣지 시리즈를 기반으로 Arm CPU와 AI 엔진, 프로그래머블 로직, 하드 IP, 연결 기능을 통합했다. 최대 22만 9,000 DMIPS의 스칼라 연산 성능과 최대 369 TOPS(INT8)의 AI 연산 성능, 최대 54만 3,000개의 LUT를 제공한다. 제품군은 2VE3358TR, 2VE3558TR, 2VE3858TR 3종이다. 각 제품에 대응하는 칩 배치 호환 표준 제품이 현재 공급되고 있어, 고객은 표준 버설 제품으로 설계를 개발한 뒤 합성이나 배치, 배선 작업을 다시 하지 않고 버설 TR로 전환할 수 있다.

커크 사반 AMD 임베디드 제품, 소프트웨어, 솔루션 부문 기업 부사장은 “AMD는 버설 변조 방지 디바이스로 물리적 공격에 대한 내장형 보호 기능과 고성능 이기종 컴퓨팅 역량을 상용 적응형 SoC에 결합했다”며 “고객은 애플리케이션에 필요한 성능과 유연성을 유지하면서 보안 핵심 시스템의 개발 과정을 간소화할 수 있다”고 말했다. 첫 버설 TR 디바이스는 2027년 하반기 샘플 공급을 시작하고, 2028년 상반기 양산에 들어갈 예정이다.

이미지 출처: AMD




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